物理氣相沉積介紹之真空卷繞鍍膜技術(shù)：
        真空卷繞鍍膜(卷對(duì)卷)是在真空下應(yīng)用不同方法在柔性基體上實(shí)現(xiàn)連續(xù)鍍膜的一種技術(shù)。它涵蓋真空獲得、機(jī)電控制、高精傳動(dòng)和表面分析等多方面內(nèi)容。其重點(diǎn)是，在保證鍍膜質(zhì)量前提下提高卷繞速率、控制鍍膜穩(wěn)定性及實(shí)施在線監(jiān)控。卷對(duì)卷技術(shù)成本低、易操作、與柔性基底相容、生產(chǎn)率高及可連續(xù)鍍多層膜等優(yōu)點(diǎn)。第一臺(tái)真空蒸發(fā)卷繞鍍膜機(jī)1935年制成，現(xiàn)可鍍幅寬由500至2500mm。卷對(duì)卷技術(shù)應(yīng)用由包裝和裝飾用膜，近年逐漸擴(kuò)大至激光防偽膜、導(dǎo)電等功能薄膜方面，是未來柔性電子等行業(yè)的主流技術(shù)之一。
        真空卷繞鍍膜系統(tǒng)按結(jié)構(gòu)可分為單室、雙室和多室真空卷繞系統(tǒng)，后兩者可解決開卷放氣問題并分別控制卷繞和鍍膜室各自真空度。卷繞張力控制分錐度、間接和直接控制模型，錐度控制模型可解決薄膜褶皺和徑向力分布不均的問題；間接張力控制無需傳感器，可用內(nèi)置張力控制模塊的矢量變頻器代替；直接張力控制通過張力傳感器精確測(cè)量張力值，但需慣性矩和角速度等多種參數(shù)。真空卷繞鍍膜主要有真空蒸發(fā)、磁控濺射等方式，可用于制備新型高折射率薄膜、石墨烯等納米材料和柔性太陽能電池等半導(dǎo)體器件。針對(duì)真空卷繞鍍膜技術(shù)研究現(xiàn)狀及向產(chǎn)業(yè)化過渡存在的問題，最后作了簡(jiǎn)要分析與展望。
        真空卷對(duì)卷設(shè)備由抽真空、卷繞、鍍膜和電氣控制等系統(tǒng)組成。真空卷繞鍍膜設(shè)備根據(jù)真空室有無擋板，可分單室、雙室和多室結(jié)構(gòu)。單室的收放卷輥和鍍膜輥在同一室中，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單但開卷時(shí)放氣會(huì)污染真空環(huán)境。雙室結(jié)構(gòu)將系統(tǒng)用擋板隔成卷繞和鍍膜室，卷輥與擋板間隙約1.5mm，避免了類似開卷放氣問題。多室常用于制備復(fù)合薄膜，在雙室基礎(chǔ)上將相鄰鍍膜區(qū)用擋板隔開避免干擾。如Krebs等將Skultuna FlexiblesAB的開普頓擋板固定于兩磁控濺射靶間，板兩側(cè)涂覆50μm的銅層。分隔擋板與真空室壁狹縫越小越好。據(jù)鍍膜時(shí)輥筒作用分為單主輥和多主輥卷繞鍍膜機(jī)。據(jù)電機(jī)個(gè)數(shù)，則可分為兩電機(jī)、三電機(jī)和四電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。